RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
60
Por volta de 57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
60
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
9.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
7.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2136
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link