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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2641
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KY7N41-MIE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
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