RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparar
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Pontuação geral
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
54
Por volta de -200% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
1,973.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
18
Velocidade de leitura, GB/s
4,967.4
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,973.5
18.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
776
3529
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Comparações de RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link