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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Comparar
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Pontuação geral
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Pontuação geral
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
33
Por volta de 30% menor latência
Razões a considerar
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
15.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
33
Velocidade de leitura, GB/s
15.2
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2454
3671
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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