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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
30
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
12.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
20
30
Velocidade de leitura, GB/s
17.3
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2568
3238
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB Comparações de RAM
Mushkin 992038 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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