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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Pontuação geral
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
42
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
16.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2348
3726
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB Comparações de RAM
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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