RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Comparar
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
20
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
17
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
20
18
Velocidade de leitura, GB/s
17.0
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
17.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3077
3814
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB Comparações de RAM
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link