Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Pontuação geral
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Pontuação geral
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    17 left arrow 26
    Por volta de 35% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    23.7 left arrow 22.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    18.3 left arrow 15.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    17 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    22.8 left arrow 23.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    15.4 left arrow 18.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3391 left arrow 4124
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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