Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    17 left arrow 30
    Por volta de 43% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    22.8 left arrow 16
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    15.4 left arrow 12.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    23400 left arrow 10600
    Por volta de 2.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    17 left arrow 30
  • Velocidade de leitura, GB/s
    22.8 left arrow 16.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    15.4 left arrow 12.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3391 left arrow 2709
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações