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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
30
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
30
读取速度,GB/s
22.8
16.0
写入速度,GB/s
15.4
12.3
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2709
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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