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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Comparar
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
65
Por volta de 48% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
16.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
65
Velocidade de leitura, GB/s
16.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2636
1921
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparações de RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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