RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
65
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
65
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.7
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
1921
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link