RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
42
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
20.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
16.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
3703
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link