RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
42
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
11.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
2516
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link