RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
166
Por volta de 75% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
166
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
1107
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link