RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
166
Intorno 75% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
166
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
1107
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link