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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
42
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
1870
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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