RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
1870
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link