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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Comparar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
34
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
3448
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
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