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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
40
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2209
2870
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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