RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Comparar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,135.0
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
51
Por volta de -96% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
26
Velocidade de leitura, GB/s
5,021.4
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,135.0
17.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
3885
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link