RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2937
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link