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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Comparar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,135.0
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
51
Por volta de -96% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
26
Velocidade de leitura, GB/s
5,021.4
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,135.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
2679
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparações de RAM
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Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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