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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
40
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
40
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
2972
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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