RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
54
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
26
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2891
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link