RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
32
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.6
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
22.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
16.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
3837
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link