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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.8
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
18.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
4095
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
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Crucial Technology C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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