Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Pontuação geral
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    41 left arrow 54
    Por volta de 24% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.9 left arrow 9.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.7 left arrow 7.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    41 left arrow 54
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.9 left arrow 9.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.7 left arrow 7.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2366 left arrow 1904
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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