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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
54
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
54
Velocità di lettura, GB/s
13.9
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
1904
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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