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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
48
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
48
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
2568
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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