RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
54
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
33
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2945
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link