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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
41
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
2952
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
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