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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
41
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
2191
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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