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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
64
Por volta de -94% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
1,869.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,477.7
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,869.1
10.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
697
2800
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
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