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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
64
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
2800
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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