RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Comparar
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Pontuação geral
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
53
58
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
2,001.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
53
Velocidade de leitura, GB/s
4,796.5
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,001.3
9.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
768
2301
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link