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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
65
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
4.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
51
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
4.2
11.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
985
2687
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparações de RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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