RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Comparar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Pontuação geral
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
43
Por volta de -72% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3001
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link