RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Comparar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
14.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3660
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link