RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Comparar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Pontuação geral
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
43
Por volta de -72% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
12.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
1511
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link