RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,935.8
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de -55% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
29
Velocidade de leitura, GB/s
6,336.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,935.8
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1144
3273
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link