RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около -55% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
29
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3273
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link