RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около -55% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
29
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3273
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link