RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
3273
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link