RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3525
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link