RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.2
18.4
写入速度,GB/s
8.4
14.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3525
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link