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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
51
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
25
读取速度,GB/s
9.8
19.3
写入速度,GB/s
8.1
15.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3751
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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