RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2443
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link