RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2443
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link