RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2443
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link