RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2443
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link