RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
39
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
26
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2231
3055
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link